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RDL（Redistribution Layer，重布線層）工藝在先進(jìn)封裝領(lǐng)域發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。它不僅優(yōu)化了芯片的I/O布局，提高了數(shù)據(jù)傳輸效率，還為芯片的小型化、集成化提供了有力支持。未來(lái)，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，對(duì)芯片性能的要求將越來(lái)越高，RDL工藝也將面臨更多的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。那么你知道RDL工藝是如何在微縮化的芯片世界中，巧妙地重新布局I/O焊盤，實(shí)現(xiàn)高性能與高可靠性的雙重飛躍嗎？

一、RDL重塑I/O的未來(lái)

     RDL這個(gè)看似簡(jiǎn)單的縮寫背后，承載著半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的一次革命性變革。在追求更高集成度、更快數(shù)據(jù)傳輸速度的今天，RDL工藝將芯片的I/O焊盤從密集的中心區(qū)域遷移至邊緣，并在更廣闊的空間內(nèi)重新分布。這一創(chuàng)新不僅極大地緩解了I/O端口擁擠的問(wèn)題，更為先進(jìn)封裝技術(shù)如3D封裝、扇出型封裝（FOWLP）等提供了強(qiáng)有力的支持，使得芯片能夠擁有更多的I/O數(shù)量，從而滿足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)傳輸需求。

二、I/O數(shù)量是速度與效率的雙重考量

     I/O數(shù)量是衡量芯片與外界通信能力的關(guān)鍵指標(biāo)，直接關(guān)乎到芯片的數(shù)據(jù)吞吐量與處理速度。想象一下，一個(gè)擁有眾多I/O端口的芯片，就像是一個(gè)四通八達(dá)的交通樞紐，能夠同時(shí)處理來(lái)自多個(gè)方向的數(shù)據(jù)流，實(shí)現(xiàn)信息的快速交換與處理。因此，隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能等技術(shù)的蓬勃發(fā)展，對(duì)芯片I/O數(shù)量的需求也在不斷攀升。RDL工藝正是在這一背景下應(yīng)運(yùn)而生，它通過(guò)優(yōu)化I/O布局，讓芯片在有限的面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸效率。

三、RDL究竟是什么材質(zhì)？

     RDL的構(gòu)造并非隨意為之，而是經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)的材料組合。阻擋層通常采用Ti/Cu（鈦/銅）結(jié)構(gòu)，鈦層作為緩沖層，能夠有效防止銅原子向鈍化層擴(kuò)散，同時(shí)增強(qiáng)銅層與鈍化層之間的粘附力；銅層則作為電鍍的種子層，為后續(xù)的電鍍工藝提供堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)?；ヂ?lián)材料選用導(dǎo)電性能優(yōu)異的銅，確保信號(hào)在RDL中的高效傳輸。而介質(zhì)材料則多采用聚酰亞胺（PI），以其良好的絕緣性、耐熱性和機(jī)械強(qiáng)度，為RDL提供必要的保護(hù)與支撐。

四、RDL工藝流程詳解

     ●晶圓清洗

 晶圓清洗是RDL工藝的第一步，通過(guò)物理和化學(xué)方法去除晶圓表面的雜質(zhì)和顆粒，為后續(xù)的工藝步驟創(chuàng)造一個(gè)干凈、無(wú)污染的工作環(huán)境。這一步驟對(duì)于提高光刻膠和金屬沉積層的附著性至關(guān)重要。

●PI-1 Litho（第一層PI光刻）

在這一步中，利用PSPI（光敏性聚酰亞胺）光刻工藝，在晶圓上精確地制作出第一層鈍化層（PI-1）的圖案。PSPI作為一種高性能的光刻材料，能夠在紫外光照射下發(fā)生化學(xué)變化，從而實(shí)現(xiàn)圖案的精確轉(zhuǎn)移。這一過(guò)程為后續(xù)的金屬沉積提供了必要的保護(hù)屏障。

●Ti/Cu Sputtering（鈦/銅濺射沉積）

緊接著，進(jìn)行鈦/銅濺射沉積，形成底部金屬層（UBM）。鈦層作為緩沖層，能夠有效隔離銅層與鈍化層之間的直接接觸，防止銅原子擴(kuò)散；而銅層則作為電鍍的種子層，為后續(xù)的電鍍工藝提供了均勻的基底。

●PR-1 Litho（第一層光刻膠光刻）

 在UBM層上涂布一層光刻膠，然后通過(guò)曝光和顯影工藝，精確地定義出RDL的圖案。這一層光刻膠就像一張精密的“地圖”，指引著銅電鍍的方向，保護(hù)著不需要電鍍的區(qū)域，同時(shí)在需要電鍍的區(qū)域暴露出銅層。

●銅電鍍（Cu Plating）

在光刻膠露出的區(qū)域進(jìn)行銅電鍍，形成RDL的導(dǎo)電層。這一步驟是RDL工藝的核心，通過(guò)電鍍的方式將銅沉積在暴露的UBM層上，形成連接芯片的焊盤和封裝外部引腳的導(dǎo)電通道。

●光刻膠去除（PR Strip）

電鍍完成后，需要去除光刻膠，以便進(jìn)行后續(xù)的工藝步驟。這一步通常采用化學(xué)方法，將光刻膠從晶圓表面剝離。

●UBM層蝕刻（UBM Etching）

采用濕法刻蝕技術(shù)，去除不需要的UBM層，只保留在RDL電鍍區(qū)域下方的UBM層。這一步驟確保了RDL結(jié)構(gòu)的精確性和完整性。

●PI-2 Litho（第二層PI光刻）

 最后，進(jìn)行第二層PI光刻，為RDL提供額外的保護(hù)。這一層PI層不僅增強(qiáng)了RDL的機(jī)械強(qiáng)度，還提高了封裝的可靠性，確保芯片在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作。